▲除發展成熟的飛彈系統，中科院近年更陸續完成主動式相列雷達、反輻射無人機等各式先進飛彈系統等性能提升。（圖／鏡週刊提供）
圖、文／鏡週刊
面對俄烏戰爭緊張局勢，世界各國除投以高度關注外，並擔憂俄烏衝突後，中國將趁機進行犯台行動，面對日益高升的台海危機，扮演國防武器研發及生產重鎮的中科院不斷突破瓶頸，打造優異的防衛武器裝備，提供三軍部隊運用，讓國人對國家安全深具信心。
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根據外媒報導，台灣飛彈密度早已名列世界前茅，素有「刺蝟島」稱號，為因應中共武力威脅，立法院分別於去年11月23日及今年1月11日三讀通過「海空戰力提升計畫採購特別條例」、「海空戰力提升計畫採購特別預算」，區分為反艦、防空與反制三大面向。
全案用於採購中科院發展成熟的飛彈系統、防空系統、無人攻擊載具與高效能艦艇等8大項，除讓台灣的飛彈密度更進一步的提升，更建構具備精準源頭打擊實力的積極性防禦武器，使敵人不敢輕易來犯。
1名國防武器專家告訴本刊，台灣能否成功建立「刺蝟島」的核心關鍵就在於中科院，中科院所以能被賦予重任的原因，是經過不斷的積累掌握國防自主研發關鍵技術，並建立起各式武器系統產製與品保的能量，成立至今除了國人所熟悉的「天弓及天劍系列防空飛彈、雄風系列反艦飛彈、經國號戰機」三彈一機。
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中科院近年更陸續完成主動式相列雷達、反輻射無人機、高效能艦艇、萬劍彈及雄昇飛彈等各式先進飛彈系統等性能提升，並積極投入下一代戰機及水下載具等關鍵技術開發，展現強大的科研實力，捍衛國家安全。
為了迅速提高三軍防衛實力，中科院近年積極在台東與九鵬基地頻繁進行下一代新式武器的研發試射，飛彈燃放的光芒在雲層中顯得格外耀眼，不僅吸引媒體輿論與國人的高度關注，更成為穩定民心的重要力量，每次成功完成各項武器試射，都象徵我國自我防衛武力更進一步提升，確保著國家安全免於受到威脅。
自從1971年台灣退出聯合國後，我國當時要向主要國家採購先進武器，都遭遇到很大的困難，中科院當時便下定決心開始自製，自製的過程是非常艱辛的，因為相關的關鍵組件及材料都掌握在別人手裡，然而也因為別人的限制，強迫中科院必須成長、茁壯。
然而尖端國防科技研發無法一蹴可幾，中科院參照世界先進武器發展趨勢，多年來針對無法自外購獲得關鍵技術、零組件，如燃燒室絕熱材料、飛彈導航關鍵模組、尋標器、鼻錐罩及相列雷達收發模組等，逐一突破、逐步建立起我國防自主雄厚的發展能量，並在材料、機械、光電、化學、電子、航太等各個領域，奠定深厚科研實力，並以國防工業帶動產業發展，透過技術授權移轉，厚植國內產業實力，中科院就是這樣一步一步從基礎打起。
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中科院成立目的，主要是依國防部政策指導及各軍種建軍備戰需求，研發國軍制空、制海、國土防衛、資電網路、聯合指管情監偵及不對稱戰力等各式武器裝備，與建立先進科技關鍵技術能量，以提升國防科技研發水準，建構自主國防力量；同時中科院也以國防科技研發能量為基礎，致力各項前瞻科技研究，厚實未來武器系統發展基礎。
此外，中科院也積極推動軍民通用科技計畫，落實國防科技擴散於民生工業與協助國家經濟發展之目標，藉由民生產業技術的發展，結合產、學、研等各界能量，透過各項國防資源釋商措施，鼓勵國內具產製能力的廠商投入國防產業供應鏈，促進國防產業永續發展，進而再以此為基礎，將國防科技轉化為民生用途，藉由國防資源挹注，直接擴大內需及活絡經濟動能，引領產業升級，促進經濟發展。
近年來，中科院「長晶團隊」以碳化矽為基石，致力於第三類半導體高功率晶片自主研發，以碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)為首的第三類半導體產業正在全球捲起一股旋風，其優異的高功率、高頻與耐溫特性，也早已在我國防科技如雷達、功率放大器等研發領域生根。
中科院在化合物半導體技術發展多年的成果，如碳化矽長晶、氮化鎵磊晶與製程技術，現正與國內晶片系統廠商在第三類半導體產業垂直鏈中，發揮群策群力整合，儼然成為台灣另一護國神山。