▲（左起）儀科中心蔣東堯博士、宇傑真空公司陳日開總經理、明志科大陳勝吉教授、儀科中心李昭德博士、宇傑真空公司張恩豪博士、明志科大馬李哲維同學、明志科大林柏均同學。 （圖／科技部提供）
地方中心／綜合報導
氣候變遷與永續發展已成為國際關注議題，為協助我國產業爭取國際節能商機，由國家實驗研究院儀科中心結合宇傑真空科技公司，以及明志科大開發將氮化鎵薄膜成長於矽基板「二硼化鋯（ZrB2）緩衝層製程技術與設備」，可降低LED製程成本達30%，延長LED使用壽命25%，可有效提升我國綠能產業國際競爭優勢。
LED光源擁有省電、體積小及壽命長等優點，隨著照明應用面的擴大，已衝上綠色趨勢的浪頭。根據研究機構統計，目前我國LED照明產業已位居全球領先地位，然而LED技術日新月異，且競爭者眾，南韓與中國更以政策支持，展現強烈的企圖心，可預期未來全球LED照明產業競爭將更為激烈。
面對國際強敵環伺，我國LED產業需持續提升技術競爭力，方能保持優勢。
目前LED在照明市場中仍存在高單價、高成本限制，且散熱處理一直是需要進一步克服的關鍵技術。
傳統LED主要是以氮化鎵磊晶成長於藍寶石晶圓（Sapphire，Al2O3）或碳化矽（SiC）基板上，儀科中心透過光學系統整合研發聯盟，成功媒合明志科大隊與宇傑真空，三方合作執行科技部「應用於氮化鎵薄膜沉積於矽基板之二硼化鋯緩衝層薄膜製程技術開發」產學合作計畫，發展讓氮化鎵薄膜成長於矽基板上的二硼化鋯緩衝層的製程技術。
此技術可讓氮化鎵沉積於半導體業已大量使用的矽晶圓基板上，不但可降低成本，且可提高導熱速率，提升散熱效率，因此極具商業應用價值。
本產學研究運作模式，由儀科中心以「脈衝直流磁控濺鍍設備」鍍製二硼化鋯薄膜於矽基板，開發緩衝層；明志科大負責薄膜材料結構與晶相分析；宇傑真空為一真空設備系統整合製造及真空元件開發製造設備公司，負責將研發成果進行商業機台測試與驗證，進行設備整合研發，建立真空鍍膜設備自主研發能力技術。
根據全球綠能產業發展趨勢，LED產業未來五年將會快速成長，因此積極發展前瞻性產業技術，搶先突破目前產業技術瓶頸為各國目標。
儀科中心、明志科大及宇傑真空的合作，除可強化我國在LED產業的競爭優勢，確保全球領先地位，並可提升我國半導體製程設備廠商的技術水準，引領我國產業邁向高值化應用發展。
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