美光與英特爾攜手開發第三代3D NAND 年底完成

2018年01月11日 13:30

▲▼美光台中後段生產基地將全面導入自動化,成為全台首座全自動化封測廠。(圖/美光提供)

▲美光與英特爾強強聯手。(圖/美光提供)

記者周康玉/台北報導

美商半導體大廠美光日前和英特爾(Intel)攜手合作,完成第三世代3D NAND技術的開發工作,此項技術將於今年年底交付,並將展延至2019年初。在第三技術世代後,兩家公司將各別獨自開發3D NAND技術,將有助於兩家公司發展業界領先的NAND技術,並且上市。

目前兩公司正以第二世代3D NAND(64層)技術進行生產,未來將在猶他州的Lehi合資晶圓廠 (Intel-Micron Flash Technologies) 繼續共同開發及製造3D Xpoint產品。

美光技術研發執行副總裁Scott DeBoer表示,美光與英特爾有長期的合作關係,當雙方在未來NAND 技術上將各自發展的同時,期待繼續在其他專案上共同合作。美光的3D NAND技術開發的藍圖實力堅強,計畫將以業界領先的3D NAND技術,在市場上推出極具競爭力的產品。

Intel非揮發性記憶體解决方案事業群資深副總裁暨總經理Rob Crooke說,英特爾與美光在NAND共同開發關係中已到了一個適當時機,現在正是兩家公司尋求各自聚焦市場的時候。英特爾的3D NAND和Optane技術藍圖為客戶提供强大的解決方案,以滿足當前對運算和儲存需求。


 

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