▲武漢烽火科技園。（圖／翻攝自長江日報）
記者胡順惠／綜合報導
湖北省武漢26日正式啟動「國家信息光電子創新中心」，要幫光電子產業造「中國芯（晶片）」，聚集「產學研用融」優勢資源，計畫用3年建成國際性創新平台，讓核心光電子晶片和器件的行業供給率超過30％，實現「中國製造2025」相關目標。據了解，武漢電子企業銷售規模在2017年突破5000億元人民幣。
綜合陸媒報導，光電子創新中心是「中國製造2025」正式授牌的第二批創新中心之一，同時也是大陸首個國家制造業創新中心，憑借湖北在信息光電子完備的産業和科技人才優勢，最後選定落戶武漢。報導指出，作為光通信系統的「心臟」，訊息光電子技術是現代信息通信的核心，佔據著全球價值鏈的關鍵領域，也是網路強國建設的「國之重器」。
據了解，晶片製造與高端技術一直是大陸發展的瓶頸，此次選定武漢要打造「中國芯」，就是因為武漢從2016年到2017年光電子企業銷售超過萬億元，是大陸最大的光電子訊息産業集群。報導指，該中心將聚焦新一代網路、數據中心光互聯、5G等信息光電子應用領域，突破高端材料生長、核心芯片工藝、先進封裝集成等方面關鍵技術和共性技術瓶頸。
日前中興通訊被美國制裁的事件鬧得沸沸揚揚，電子信息產業發展研究院裝備研究所所長左世全日前說，「儘管中興通訊事件暴露出我國在傳統芯片中存在短板，但我們有條件、有能力、有辦法應對創新發展過程中的衝擊和干擾」，技術創新優勢體現在4個方面，包括規模雄厚的產業優勢、世界上最大的製造業需求潛力、集中力量辦大事的制度優勢和無可比擬的人才資源優勢。
在危機當前之際，大陸官媒新華社與人民日報分別找來官員及學者談話指出，2017年包含片在晶片內的集成電路産業規模達到5411億元人民幣，晶片研制上已具備基本條件，若能集中資源，透過國家引導，將能在高階晶片研發取得新的突破。
大陸工信部電子信息司長刁石京表示，以行動智慧終端機晶片為例，海思半導體、紫光展銳等所開發的行動處理晶片，目前在全球市占率已超過20％，有力支撐中國行動通信終端邁向中高端，境內IC設計業規模已從2014年的1047億元，增長到2017年的1980億元，居全球第二。
中科院半導體所副所長祝寧華也說，大陸已能掌握中低端光電子器件關鍵技術，具備生產能力，但產能不足，。在高端光電子器件研發方面，一些關鍵技術也取得突破性進展，某些關鍵技術甚至達到「國際先進水準」。他說，只要國家選定面向未來信息網路急需的1、2類核心關鍵光電子芯片，就能不斷突破。
▼國家信息光電子創新中心在武漢的啟動會。（圖／翻攝自新華網）
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