DRAM新紀元!美光率先以1Z製程量產16Gb DDR4

2019年08月27日 23:59

▲▼美光(Micron)後段封測廠揭幕,中科后里。(圖/記者周康玉攝)

▲美光(Micron)中科后里後段封測廠。(圖/資料照)

記者周康玉/台北報導

美光(Nasdaq: MU),今(27)日宣布要開始使用1z奈米製程技術,成為全球第一家量產16Gb DDR4產品的記憶體公司,邁入DRAM新紀元;同時推出業界最高容量的單片16Gb低功率雙倍資料速率4X(LPDDR4X)DRAM。

與上一代 1y奈米節點相比,1z奈米16Gb DDR4產品顯著提高位元密度、大幅增進效能並降低成本。同時,它也促進美光持續改善其運算 DRAM(DDR4)、行動 DRAM(LPDDR4)和圖形 DRAM(GDDR6)產品系列的相對效能和功耗。對於包括人工智慧、自動駕駛車輛、5G、行動裝置、圖形、遊戲、網路基礎設施和伺服器等應用而言,功率和效能之間的優化平衡是關鍵的差異化因素。

美光技術開發執行副總裁Scott DeBoer表示,現今擴充DRAM條件變得更加複雜,美光開發和量產業界最小尺寸的DRAM節點展現了世界級的工程和製造能力。

透過量產16Gb DDR4記憶體解決方案,美光開始將技術移轉至1z奈米,使用更小的節點進行生產帶來多項優勢,包括功耗較上一代 8Gb DDR4產品降低約40%;美光全面的1z奈米DDR4產品組合也滿足資料中心對更高效能、更高容量和更低功耗,日益增長的需求。

此外,美光今日也宣佈公司已開始批量出貨基於 UFS 規範多晶片封裝 (uMCP4) 的業界最高容量單片 16Gb 低功率雙倍資料速率 4X (LPDDR4X) DRAM。美光的 1z nm LPDDR4X 和 uMCP4 滿足了行動裝置製造商尋求更低功率和更小封裝,以設計具有吸引人的規格尺寸和長電池壽命的裝置需求。

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