▲三星集團示意圖,三星電子華城晶片廠發生停電1分鐘的事故。(圖/達志影像/美聯社)
記者林彥臣/綜合報導
全球最大記憶體晶片製造商南韓「三星電子」在12月31日發生晶片廠停電事故,導致動態隨機存取記憶體(DRAM)和儲存型快閃記憶體(NAND Flash)晶片生產線停擺1分鐘,損失將高達上百萬美元。
根據《韓聯社》報導,在首爾西南約60公里的華城晶片廠,發生停電事故,狀況持續了大約1分鐘,導致DRAM和NAND閃存芯片的生產停擺,業內人士透露,生產線預計要2、3天左右才能完全恢復。
三星電子1日發布聲明表示,公司正在檢查生產線以便準備復工,目前還在調查損失程度。
▲三星電子所生產的晶片。(圖/達志影像/美聯社)
熟悉內情的消息人士指出,這次停電造成的損失可能達到數百萬美元,但他說並未出現重大損害。由於確切損害程度尚未公開,這名消息人士拒絕具名。
韓聯社報導還指出,三星電子在2018年時,也發生過平澤(Pyeongtaek)晶片廠停電半小時的事故,當時損失金額估計達500億韓元(約新台幣12億9000萬元)。
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