安森美推新一代碳化矽MOSFET裝置 英飛凌推新IGBT組合

▲安森美推新一代碳化矽MOSFET裝置。（圖／業者提供）

記者周康玉／台北報導

美國半導體廠安森美（ON Semiconductor）宣布推出新一代碳化矽（SiC）MOSFET裝置；同時德國半導體廠英飛凌科（Infineon）同時推出具650 V阻斷電壓、採獨立封裝的CoolSiC Hybrid IGBT（絕緣柵雙極電晶體）產品組合。

安森美新一代碳化矽（SiC）MOSFET裝置結合先進薄晶圓技術，可在650 V擊穿電壓實現同類最佳的品質因數，設計人員用新的SiC裝置取代現有的矽開關技術，將在電動汽車（EV）車載充電器（OBC）、太陽能逆變器、伺服器電源（PSU）、電信和不斷電供應系統（UPS）等應用中實現顯著的更佳性能。

安森美新一代車規AECQ101和工業級合格的650伏SiC MOSFET是基於新的寬能隙半導體，提供比矽更佳的開關性能和更好的熱性能，因而提高系統級能效、功率密度，及減少電磁干擾（EMI）、系統尺寸和重量。

新一代碳化矽（SiC）MOSFET技術還優化能量損失品質因數，優化汽車和工業應用中的性能。內置門極電阻(Rg)為設計人員提供更大的靈活性，更高的功率變動、雪崩能力和短路穩健性都有助於增強耐用性，從而提供更高的可靠性和更長的裝置使用壽命。

安森美先進電源部門資深副總裁Asif Jakwani表示，在現代電源應用中，如電動汽車(EV)車載充電器(OBC)和可再生能源、企業運算及電信等其他應用，高能效、可靠性和功率密度是設計人員一直面臨的挑戰。這些新的SiC MOSFET比同等的矽開關技術顯著提高性能，使工程師能夠滿足這些具有挑戰性的設計目標。增強的性能降低損耗，從而提高能效，減少熱管理需求，並降低電磁干擾。

德國半導體廠英飛凌科（Infineon）同時推出具650 V阻斷電壓、採獨立封裝的CoolSiC Hybrid IGBT（絕緣柵雙極電晶體）產品組合，較原先標準矽二極體可降低多達60%的Eon和30%的Eoff，較高的切換頻率有助於縮小被動元件的尺寸，進而降低物料清單成本。特別適用於DC-DC電源轉換器和功因校正（PFC），其常見應用包括：電池充電基礎設施、能源儲存解決方案、光伏逆變器、不斷電系統 (UPS)，以及伺服器和電信用交換式電源供應器（SMPS）。

此產品系列可作為全矽解決方案和高效能 SiC MOSFET設計之間的銜接，與全矽設計相比，Hybrid IGBT可提升電磁相容性和系統可靠性；由於肖特基障礙二極體的單極性，使二極體能快速切換，而不會有嚴重的振盪和寄生導通的風險。

▼英飛凌推新IGBT組合。（圖／業者提供）