特約記者洪聖壹／綜合報導
英特爾公司稍早揭露 IDM 2.0 未來 5 年的計畫，當中包括製程與封裝技術的最新路線與產品規劃，以及進入半導體的埃米（angstrom）時代之後的全新命名。另外也公開了全新電晶體架構 RibbonFET、由背部供電的方案 PowerVia，以及 3D封裝技術 Foveros Omni和 Foveros Direct，目標希望在 2025 年達到領導地位。
英特爾副總裁汪佳慧指出，此次活動揭露了英特爾從現在開始到 2025 年的一個新的發展，主要說明兩大重要意義，第一個是英特爾將持續加速創新，並且持續前進。在 IDM2.0 底下，不管現在還是未來的製程，英特爾在與台灣業界以及第三方公司緊密合作之下，已經看到很大的前景與發展動能，未來不管 PC 產業、AI、雲端、邊緣運算等面相將會持續佈局，並且往這方向發展。
英特爾台灣創新科技總經理謝承儒表示，英特爾是目前業界唯一垂直整合設計、製造、封裝技術的公司，並且在生產能力方面，包括前段、後段技術，也結合業界資源共同發展。而目前以「奈米」為基礎的製程節點命名方式，並不符合自1997年起採用閘極長度為準的傳統。
謝承儒指出，此次針對製程產品重新命名，主要是希望讓大家有比較有清楚的認知，舉例來說，將過去 10 nm技術產品將命名為 intel 7，但是 intel 7 也等同於業界俗稱的 7 奈米技術。
英特爾今日公布其製程節點全新的命名結構、未來製程與效能藍圖規劃說明如下：
· Intel 7：植基於 FinFET（鰭式場效電晶體）最佳化，相較 Intel 10nm SuperFin 每瓦效能可提升大約 10％～15％。Intel 7 將會使用在 2021 年的 Alder Lake 用戶端產品，以及 2022 年第一季量產的 Sapphire Rapids 資料中心產品。
· Intel 4：全面使用極紫外光（EUV）微影技術，透過超短波長的光，印製極小的形狀。伴隨每瓦效能提升約 20％，以及面積改進，Intel 4 將於 2022 下半年準備量產，2023 年開始出貨，client 用戶端 Meteor Lake 和資料中心 Granite Rapids 將率先採用。
· Intel 3：進一步汲取 FinFET 最佳化優勢與提升 EUV 使用比例，以及更多的面積改進， Intel 3 相較 Intel 4 約能夠提供18％ 的每瓦效能成長幅度。Intel 3 將於 2023 下半年準備開始生產。
· Intel 20A：以 RibbonFET 和 PowerVia 這 2 個突破性技術開創埃米（angstrom）時代。RibbonFET 為英特爾環繞式閘極（Gate All Around）電晶體的實作成果，亦將是自 2011 年推出 FinFET 後，首次全新電晶體架構。此技術於較小的面積當中堆疊多個鰭片，於相同的驅動電流提供更快的電晶體開關速度。PowerVia 為英特爾獨特、業界首次實作的背部供電，藉由移除晶圓正面供電所需迴路，以達最佳化訊號傳遞工作。Intel 20A 預計將於 2024 年逐步量產。
英特爾還宣布，高通（Qualcomm） 將採用全新的 Intel 20A 製程技術。這意味著未來幾年，高通將開始使用英特爾即將推出的 20A 工藝製造其晶片，不過這場活動當中，並沒有公開出貨時程與相對應的高通產品線。
2025 年之後，英特爾規劃將推出「改良自 RibbonFET」的“Intel 18A”，並且在活動當中透露：intel 18A 已經進入開發階段，預計於2025 年初問世，預期將為電晶體帶來另一次的重大性能提升。
除了首次發表全新電晶體架構 RibbonFET 外，英特爾也正在定義、建立與佈署下一世代的 EUV工具，稱之為「高數值孔徑（High NA）EUV」，並且有望獲得業界首款 High NA EUV 量產工具。英特爾正與 ASML 緊密合作，確保這項業界突破技術能夠成功超越當代 EUV。
英特爾新的 IDM 2.0 策略，對於實現摩爾定律優勢而言，封裝變得越來越重要。英特爾宣布 AWS 將是第一個採用 IFS 封裝解決方案的客戶，並同步提供下列先進封裝藍圖規劃的遠見。而 Sapphire Rapids 將會是首款量產出貨，具備 EMIB (embedded multi-die interconnect bridge) 的 Intel Xeon 資料中心產品。它也會是業界首款具備 4 個方塊晶片的裝置，提供等同於單一晶片設計的效能。Sapphire Rapids 之後，下一世代的 EMIB 將從 55 微米凸點間距降至 45 微米。
除了工藝路線圖之外，英特爾還宣布了其 Foveros 晶片堆疊封裝技術的兩項重大更新（其中第二代將於 2023 年在英特爾 4 的 Meteor Lake 中首次亮相。）Foveros 晶片堆疊結合了像是英特爾的 Lakefield 晶片，它將五個 CPU 內核、一個集成 GPU 和 DRAM 堆放在一個緊湊架構當中，與傳統設計相比，這樣的設計可以節省內部空間。Meteor Lake 將會是 Foveros 在用戶端產品實作的第二世代，其具備 36 微米凸點間距，晶片塊橫跨多種製程節點，熱設計功耗從5至125瓦。
針對 3D 封裝技術 Foveros Omni和 Foveros Direct，分述如下：
Foveros Omni：採用晶片與晶片連結與模組化設計，提供不受限的靈活高效能3D堆疊技術。Foveros Omni允許混合多個頂層晶片塊與多個基底晶片塊，以及橫跨多種晶圓廠節點的分拆晶片（die disaggregation）設計，預計將於2023年準備大量生產。
Foveros Direct：為降低互連電阻，改採直接銅對銅接合技術，模糊了晶圓製造終點與封裝起點的界線。Foveros Direct能夠達成低於10微米的凸點間距，提升3D堆疊一個量級的互連密度，為原先被認為無法達成的功能性晶片分割開啟新頁。Foveros Direct是Foveros Omni的補充技術，同樣預計於2023年問世。
英特爾執行長基辛格（Pat Gelsinger）表示：今天所揭曉的各種創新，不僅開展了英特爾的產品路線規劃，它們對於我們晶圓代工的客戶也相當重要。
此次活動當中，英特爾展現了所有產品技術發展藍圖，從中可以看出，intel 20A 將是該公司掀出的第一張王牌。而 2025 年初推出的 18A，預期將讓英特爾走向半導體領到地位，當然這中間需要仰賴許多合作夥伴的配合，所有時程配合得到才行，因此活動當中也提到台灣第三方合作廠商的重要性，某方面來說，英特爾也是希望透過此次藍圖規劃，讓更多廠商了解到其市場定位與未來發展意義。
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