超越台積電！南韓三星電子宣布「量產」3奈米晶片 可節省45%電力

▲三星電子總部展示的半導體晶圓。（示意圖／達志影像）

記者羅翊宬／編譯

南韓三星電子自知在半導體產業上落後台積電（TSMC），在副會長李在鎔假釋出獄、回歸經營團隊後，便想方設法縮短與台積電之間的差距。三星電子今（30）日宣布，3奈米晶片將正式投入量產，預估與5奈米晶片相比可節省45%電力，不僅超前台積電，更是全球最先量產3奈米晶片的企業。

根據韓媒《韓聯社》，三星電子30日宣布，將領先台積電優先量產3奈米製程晶片，為目前半導體產業中最先進的技術，其採用「環繞式閘極電晶體」（Gate-All-Around，GAA）技術，晶片迴路寬幅愈加細微化，不僅可減少半導體電力消耗，在數據處理速度上也更有效率。

三星電子表示，採GAA第1代技術的3奈米製程晶片，與以往採用FinFET架構的5奈米製程晶片相比，可以節省45%的電力、提升23%的效能、減少半導體16%的面積，預計明年導入的GAA第2代技術更可節省50%的電力、提升30%的效能、縮小半導體35%的面積。

此次3奈米製程的晶片，由具有「極紫外光微影製程」（EUV）的三星電子華城廠區S3生產線量產製造。

▲三星電子在南韓京畿道華城的晶片生產工廠。（圖／達志影像）

三星電子計畫，透過此次3奈米製程晶片量產，追趕全球晶圓代工市占率第一的台積電，同時預計於2025年展開採用GAA第2代技術的2奈米晶片製程。

台積電則預計今年下半季開始量產3奈米製程晶片，至於GAA技術則從2奈米製程晶片開始採用。

根據台灣市調公司集邦科技（TrendForce）調查，今年第1季全球晶圓代工市占率，台積電以53.6%（第1名）遙遙領先三星電子的16.3%（第2名）。

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