▲三星電子25日在華城廠區舉行3奈米晶片量產發表會。（圖／達志影像／newscom）
記者羅翊宬／綜合外電報導
南韓三星電子為求縮短與台積電（TSMC）在晶圓代工生產上的差距，曾於6月30日表示，將會比台積電提早量產3奈米晶片，今（25）日便在位於京畿道華城的晶片生產工廠舉行3奈米製程晶片發表會，現場邀請南韓產業通商資源部長李昌洋出席。據悉，尹錫悅政府曾於上周表示，將協助企業在半導體投資340兆韓元。
根據《韓聯社》，三星電子為了奠定在晶片代工上擊敗台積電、取得市占率第一的基礎，25日上午在華城廠區具有「極紫外光微影製程」（EUV）技術的專用V1生產線，舉行3奈米製程晶片的量產發表會，3奈米晶片採用「環繞式閘極電晶體」（Gate-All-Around，GAA）技術，晶片迴路寬幅愈加細微化，不僅可減少半導體電力消耗，在數據處理速度上也更有效率。
現場邀請南韓產業通商資源部長李昌洋、三星電子半導體（DS）部門長慶桂顯、三星電子員工、相關合作廠商以及無晶片廠（Fabless）等共100多人出席。
▼三星電子半導體（DS）部門長慶桂顯。（圖／達志影像／newscom）
▲南韓產業通商資源部長李昌洋。（圖／達志影像／newscom）
三星電子表示，採GAA第1代技術的3奈米製程晶片，與以往採用FinFET架構的5奈米製程晶片相比，可以節省45%的電力、提升23%的效能、減少半導體16%的面積，預計明年導入的GAA第2代技術更可節省50%的電力、提升30%的效能、縮小半導體35%的面積。
李昌洋致詞時表示，「未來為了確保能提升3奈米晶片良率、求穩定發展，盼能結合業界的力量。政府將以近期發表的『半導體超強大國達成戰略』為基礎，在協助民間投資、人才培育、技術研發、構築相關產業生態上不遺餘力支援。」
▲三星電子6月30日宣布，搶先台積電生產3奈米晶片。（圖／路透）
根據台灣市調公司集邦科技（TrendForce）調查，今年第1季全球晶圓代工市占率，台積電以53.6%（第1名）遙遙領先三星電子的16.3%（第2名）。南韓業界期盼，藉由此次3奈米晶片成功量產，來改變由台積電獨佔的全球晶圓代工市場版圖。
根據韓媒《紐西斯通訊社》，南韓尹錫悅政府上周發表「半導體超強大國達成戰略」，表示未來5年（2026）內將成功吸引企業對系統半導體領域投資340兆韓元，讓南韓在全球系統半導體市占率能突破10%。
▲三星電子位於南韓京畿道華城的半導體生產廠。（圖／路透）
當時李昌洋表示，「尖端半導體在國內市場需求固然重要，不過對於牽動未來需求的顯示器、電池、機器人、生技等『半導體加成產業』領域，政府將陸續推動方案強化競爭力。」
南韓尹錫悅政府計畫能在未來10年內培育15萬名半導體產業相關人才，透過加強基礎建設、鬆綁限制、減免稅制、集中協助次世代系統半導體研究開發等，全力支援半導體產業。
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