美光行動記憶體 LPDDR5X正式量產　現已納入高通Snapdragon參考設計

▲美光LPDDR5X 行動記憶體已獲高通 Snapdragon 8 Gen 2 納入參考設計。（圖／美光提供）

記者高兆麟／綜合報導

美光科技（Nasdaq: MU）15 日宣布，LPDDR5X 行動記憶體已獲高通 Snapdragon 8 Gen 2 納入參考設計。Snapdragon 8 Gen 2 為高通公司針對旗艦級手機所推出的最新行動平台，參考設計主要用途是供品牌業者展示此晶片組在設計智慧型手機時的各項優點，美光 LPDDR5X 亦整合在高通 Snapdragon 8 Gen 2 參考設計中，成為主要架構的一環，持續受到市場青睞。與此同時，此款記憶體也已量產出貨，將有助於第一款內建 LPDDR5X 的手機達到最高速度。

美光最新推出的 LPDDR5X 專為高階及旗艦智慧型手機打造，峰值傳輸率達 8.533Gbps，不僅比前一代產品 LPDDR5 提升 33%，也比去年秋天所支援的 7.5 Gbps 傳輸率更能滿足高頻寬、高數據量用途對高性能行動記憶體的需求。

美光資深副總裁暨行動事業部總經理 Raj Talluri 表示：「如今智慧型手機能實現 5G、AI 等技術，且能存取大量數據，超高速行動記憶體的功勞不容小覷，可說是手機創新的幕後英雄。目前美光最高速的 LPPDR5X 已量產並在全球舖貨，將帶動行動生態系研發新一代裝置以及各類超乎想像的應用。」

去年十一月，美光領先半導體業，運用其率先面市的 1α（1-alpha）製程製作出最快、最先進的行動記憶體 LPDDR5X 並送樣認證，繼先前推出業界第一款 LPDDR5、1α製程LPDDR4X、176 層 NAND 行動 UFS 3.1 和 uMCP5 解決方案之後又下一城。美光將持續推動市場加快採用 LPDDR5X，鞏固自身產品創新能力及行動生態系領導地位。

高通技術公司產品管理副總裁 Ziad Asghar 指出：「要想達到 Snapdragon 8 Gen 2 所標榜的光速上網、動態體驗以及劃時代效能，性能強悍的高速記憶體不可或缺。美光 LPDDR5X 記憶體可達 8.5 Gbps，前所未有的超高速率及能源效率，正能滿足高通晶片組所需。」

隨著行動裝置的工作負載日益精細繁複，有不同的應用程式要多工處理，又要支援人工智慧（AI）推論以及擴增和虛擬實境技術，還須有沉浸式畫質表現，並提供具備夜景及人像模式的高畫質拍照功能。當今的智慧型手機因此須搭載不同處理引擎，構成十分複雜的處理器結構。然而要確保多工順暢、實現各式功能，還需要能將大量數據高速傳輸到這些先進晶片組，此時更上層樓的記憶體性能愈顯重要。

美光針對下一波智慧型手機 5G 及 AI 體驗浪潮，打造行動記憶及儲存方案，滿足容量及運算能力需求的同時，也兼顧尺寸限制、成本效益及能源效率，而與全球智慧型手機及晶片組業者深入合作，更有助於美光將自身的低功率高性能解決方案、廣博的技術專業、致力創新的精神帶到整個行動生態系，幫助提供更佳體驗。