▲三星電子今年第一季合併營業利益僅6402億韓元，比去年同期大跌95%，且半導體部門更創下4.6兆韓元赤字。（圖／CFP，下同）
記者羅翊宬／綜合外電報導
全球半導體與記憶體產業迎來寒冬，南韓三星電子今（27）日公布今年第一季財報數據評估，結果顯示合併營業利益大跌95.5%，僅創下6402億韓元（約新台幣147.3億元）的成績；至於在半導體部門更虧損近4.6兆韓元（約新台幣1058億元），是2009年金融危機後該部門首度迎來赤字。另外，三星電子決定加入美國《晶片法》協商。
根據《韓聯社》，南韓三星電子27日公布今年第一季財報評估數據，結果顯示合併營業利益僅6402億韓元（約新台幣147.3億元），和去年同期相比大跌95.5%，是2009年第一季（5900億韓元）迎來金融危機後，時隔14年再度跌至1兆韓元以下；而合併營收則為63兆7454億韓元（約新台幣1兆4667億元）。
至於三星電子的「半導體事業暨裝置解決方案」部門（DS部門）更創下4兆5800億韓元（近新台幣1058億元）的虧損，也是2009年金融危機以後14年來首度面臨的慘況，主要歸因為受到全球經濟發展停滯的情況下，消費心理萎縮、無法提升市場需求，導致記憶半導體等庫存量增加，價格暴跌後造成合併營業利益大跌。
根據韓媒《紐西斯通訊社》，三星電子高層在第一季財報電話會議上也透露，將會加入美國實施《晶片法》的相關協商，「針對美國政府〈晶片法〉補助的相關義務和擔憂事項，美國政府表示將會聽取業界意見，在和各企業協商後具體提出方案。本公司也將參與該程序。」
三星電子表示，「將會致力降低地緣政治所帶來的風險。」
據悉，美國《晶片法》從去年8月起開始生效，美國政府挹注527億美元的預算，以獲得25%投資租稅減免的條件，來鼓勵企業在美國設立晶片廠，不過獲得補助的企業10年以內不得在中國擴張半導體生產設施投資達5%，且必須向美國政府交出良率、產能利用率、預期收益率等商業機密。
另外，儘管面臨大規模虧損，三星電子第一季仍在研究開發（R&D）投資6兆5800億韓元（近新台幣1514億元），在設施投資項目中甚至投入10兆7000多億韓元（近新台幣2462億元），創下每年第一季的最大規模。
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