▲南韓半導體業界權威崔珍奭曾於2007年以SK海力士記憶半導體製造本部長的身份演講。（圖／翻攝自KIMS韓國材料研究院）
記者羅翊宬／綜合外電報導
南韓現年65歲的半導體業界權威崔珍奭（최진석），過去曾先後擔任三星電子常務、SK海力士副社長，然而今年6月他卻被南韓檢方指控，疑似涉嫌收受中國成都4600億韓元資金，並獲富士康簽約投資8兆韓元，計畫在西安「復刻」興建仿造三星電子的半導體廠。對此，他透過手寫信向《路透社》否認上述指控。
南韓水原地方檢察廳防衛事業暨產業技術犯罪搜查部6月12日以違反產業技術保護法、不當經營防止法等罪嫌拘留起訴崔珍奭，並針對崔珍奭在新加坡和中國成立的半導體廠5名職員、涉嫌竊取三星電子西安半導體廠設計圖的三星合作企業1名職員以違反不當經營法罪嫌採不拘留起訴。
南韓檢方指控，崔珍奭在新加坡成立半導體公司，之後將公司轉移至北京，以便在中國境內設半導體廠，他以2倍年薪、提供子女在中國就讀國際學校、協助家屬移居中國等優渥條件延攬200多名南韓優秀半導體核心技術人才，並於2018年在中國陝西省西安市、距三星半導體廠1.5公里處「復刻」興建全新半導體廠，要求職員竊取三星廠設計圖和多項資料機密。
檢方認為，崔珍奭從三星電子竊取的半導體技術屬於國家核心技術，包括用於筆記型電腦和智慧型手機的30奈米以下DRAM、快閃記憶體（Nand Flash），導致三星電子至少損失3000億韓元。
▲三星電子去年6月30日宣布，搶先台積電生產3奈米晶片。（圖／路透）
根據《路透社》，崔珍奭曾透過辯護律師金匹星（김필성）否認檢方提出的所有指控，他入獄後遞交一封手寫信建為自己澄清，他表示原本是計畫要替鴻海富士康建造新廠，對DRAM進行早期測試，而三星西安廠所生產的是快閃記憶體，兩者之間並無存在任何關係，且相關製程技術的差異達到30%，而DRAM更加複雜，就連製造兩種晶片使用的設備也有不同。
崔珍奭在信中表示，「他們（指DRAM和快閃記憶體）使用不同的製造設備，（三星）快閃記憶體晶片設備的布局，對我們來說真的沒有用處。當初我的計畫是建設研發工廠，但是三星電子在西安並未設置研發工廠，這導致我們完全沒有復刻三星廠的理由。我們設廠前曾考慮西安等多座城市，最終決定在山東省青島市設廠。」
針對崔珍奭的手寫信，青島市、西安市目前尚未回覆《路透社》的置評請求。
隨著報導明確標示出遭南韓檢方拘留起訴的半導體權威姓名，從維基百科韓文版崔珍奭的條目來看，1984年獲取漢陽大學材料工學碩士學位後以研究員身份進入三星電子，1992年獲得博士學位後一路晉升為理事、常務，2001年10月跳槽到SK海力士，研發半導體細微工程技術、提升收率，2007年升任副社長。
▲三星電子2013年在中國陝西省西安市建交設立半導體廠。（圖／CFP）
2010年4月崔珍奭向SK海力士遞出辭呈後，曾在漢陽大學工學院奈米半導體系擔任教授，2014年12月在韓華Q Cell（太陽能電池製造商）擔任技術長，2015年9月從韓華離職後便在新加坡成立公司「진세미」，並持續往返台灣，主掌被美光科技收購的台灣半導體廠和美光科技新加坡廠的生產管理，當時南韓媒體和外界就曾指出他疑似外洩南韓的記憶體技術，認為他可能從南韓半導體先驅淪為賣國賊。
此後，崔珍奭和真芯（北京）半導體、成都市府合作，2020年8月設立成都高真科技（CHJS）。
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