▲晶片生產製程上最重要的設備就是「光刻機」，大陸哈工大取得突破性關鍵技術。（圖／翻攝環球網）
記者任以芳／綜合報導
大陸哈爾濱工業大學日前宣布突破13.5納米極紫外光源技術，打破西方技術封鎖，也為大陸的國產EUV光刻機製造帶來信心。陸媒報導稱，掌握EUV光刻機主導地位的荷蘭ASML（艾司摩爾）至今對於這項消息保持沉默。
綜合陸媒報導，由哈工大由樊繼壯教授帶領的科研團隊，採用放電等離子體技術，成功制備出了13.5納米的極紫外光源技術。這意味，哈工大此次取得的研發成果，將會從根本上彌補大陸國內光刻機產業在EUV光源方面的短板，大力推動國產EUV問世的步伐。
自20世紀90年代起，美、荷、日等國通過掌控關鍵設備和材料，將全球半導體產業掌控在少數巨頭手中。極紫外光刻機（EUV）是晶片製造關鍵設備，其核心技術13.5納米極紫外光源研發難度極大，僅掌握EUV光刻機主導地位的荷蘭ASML（艾司摩爾）。
即使大陸近五年半導體產業有加速進步，前一段時間現任ASML CEO克里斯托弗·富凱曾依然公開表示，「華為芯片雖然取得了顯著成果，但依舊是落後於英特爾、台積電、三星至少10到15年。」
外媒也評論，大陸中芯國際雖在汽車產業和其他工業應用的成熟製程取得進展，但在7奈米以下先進製程晶片仍遠落後晶圓代工巨頭數年。
但根據哈工大這次發布消息，已掌握微縮投影光學系統、EUV多層膜技術、光學加工與檢測系統、雙工件台等七項光刻機核心技術。
陸媒《網易》報導稱，哈工大突破13.5奈米EUV光源技術，採用粒子加速產生紫光，與ASML採用的美國光源技術和德國徠卡的透鏡技術不同，展現更具突破性的創新。
中芯國際和華為等大陸企業已實現7奈米晶片生產，但要突破3奈米等更先進製程，必須仰賴EUV曝光機。哈工大的光源技術突破，也為大陸國產EUV設備自主化規劃出新路，也為日後國產晶片注入信心。
新加坡畢盛資產管理創始人王國輝（Wong Kok Hoi）認為，「這是國產EUV誕生的關鍵轉折點。」一旦大陸市場完成對EUV光刻機的研發與量產，那麼這場「晶片戰」就會宣告結束，不僅中芯國際有望追平台積電，華為也將徹底掙脫「枷鎖」，一飛沖天。
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